专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法中，提供的半导体衬底内形成有第一掺杂区，第一掺杂区具有第一导电类型，再在半导体衬底的顶面上形成外延层，其中，外延层包括层叠的第一外延层和第二外延层，第一外延层和第二外延层的材质相同，第一外延层的厚度小于第二外延层的厚度，第一外延层的沉积温度小于第二外延层的沉积温度，第一外延层的沉积速度大于第二外延层的沉积速度，如此第一掺杂区的掺杂物质扩散到第一掺杂区侧上方的外延层中的扩散范围可以缩小，有助于改善半导体器件的漏电问题。本发明的半导体器件利用上述的半导体器件的制作方法制成。
今年以来晶合集成新获得专利授权233个，较去年同期增加了83.46%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。
数据来源：企查查
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